上海EBIT装置漂移管组件研制

CAS OpenIR > 中科院上海应用物理研究所2004-2010年

	上海EBIT装置漂移管组件研制
	陈永林; 蒋迪奎; 朱希恺; 郭盘林; 许祥义; 王纳秀
	2006
Source Publication	核技术
Issue	12
Abstract	漂移管组件为EBIT提供约束离子的轴向电势阱,是EBIT装置的核心区域。组件工作在低温、强磁场、高电压、超高真空的环境中,这对工程设计提出了很高的要求。本文介绍了上海EBIT装置的电势阱设计、漂移管组件的结构设计和一些特殊工程问题的处理方法,并对组件进行了低温和高压试验。本文的研究工作,对上海EBIT装置的成功研制有着重要的意义,目前上海EBIT可以稳定运行在100kV/110mA。
Keyword	上海ebit装置漂移管组件高电荷态离子
Indexed By	CNKI
Language	中文
Funding Project	应物所项目组
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8624
Collection	中科院上海应用物理研究所2004-2010年
Corresponding Author	陈永林
Recommended Citation GB/T 7714	陈永林,蒋迪奎,朱希恺,等. 上海EBIT装置漂移管组件研制[J]. 核技术,2006(12).
APA	陈永林,蒋迪奎,朱希恺,郭盘林,许祥义,&王纳秀.(2006).上海EBIT装置漂移管组件研制.核技术(12).
MLA	陈永林,et al."上海EBIT装置漂移管组件研制".核技术 .12(2006).

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