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上海EBIT装置漂移管组件研制 | |
陈永林; 蒋迪奎; 朱希恺; 郭盘林; 许祥义; 王纳秀 | |
2006 | |
Source Publication | 核技术
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Issue | 12 |
Abstract | 漂移管组件为EBIT提供约束离子的轴向电势阱,是EBIT装置的核心区域。组件工作在低温、强磁场、高电压、超高真空的环境中,这对工程设计提出了很高的要求。本文介绍了上海EBIT装置的电势阱设计、漂移管组件的结构设计和一些特殊工程问题的处理方法,并对组件进行了低温和高压试验。本文的研究工作,对上海EBIT装置的成功研制有着重要的意义,目前上海EBIT可以稳定运行在100kV/110mA。 |
Keyword | 上海ebit装置 漂移管组件 高电荷态离子 |
Indexed By | CNKI |
Language | 中文 |
Funding Project | 应物所项目组 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8624 |
Collection | 中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
Corresponding Author | 陈永林 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈永林,蒋迪奎,朱希恺,等. 上海EBIT装置漂移管组件研制[J]. 核技术,2006(12). |
APA | 陈永林,蒋迪奎,朱希恺,郭盘林,许祥义,&王纳秀.(2006).上海EBIT装置漂移管组件研制.核技术(12). |
MLA | 陈永林,et al."上海EBIT装置漂移管组件研制".核技术 .12(2006). |
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