CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2004-2010年
紧凑型THz源的史密斯-帕塞尔辐射模拟(英文)
卑华; 戴冬东; 戴志敏
2008-12-15
Source Publication强激光与粒子束
Issue12
Abstract采用模拟和数值计算的方法,研究了THz波段的受激史密斯-帕塞尔辐射特性。实验装置以"上海电子束离子阱"为原型,采用紧凑型设计以便最终实现其可移动性。束流动力学模拟表明,此装置采用强磁场,可以得到平均流强为0.2 A、束流半径为75μm的高品质电子束,为电子束工作在自由电子激光模式下创造了条件。基于Andrews和Brau的理论,优化了光栅参数,保证了辐射角度在60°。其中消散场的计算频率为0.365 9 THz。采用particle-in-cell(PIC)程序模拟了光栅表面的辐射场以及电子的动力学特性。模拟结果表明电子有群聚效应,且二次谐波(0.723 THz,约为消散频率的2倍)得到增强。采用后处理方法计算了史密斯-帕塞尔辐射的功率空间分布。计算显示辐射角度与理论角度相一致,表明了方法的有效性。输出的功率约为2 mW。
Keyword史密斯-帕塞尔辐射 自由电子激光 Thz源 Pic模拟 后处理
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project应物所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8968
Collection中科院上海应用物理研究所2004-2010年
Corresponding Author卑华
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GB/T 7714
卑华,戴冬东,戴志敏. 紧凑型THz源的史密斯-帕塞尔辐射模拟(英文)[J]. 强激光与粒子束,2008(12).
APA 卑华,戴冬东,&戴志敏.(2008).紧凑型THz源的史密斯-帕塞尔辐射模拟(英文).强激光与粒子束(12).
MLA 卑华,et al."紧凑型THz源的史密斯-帕塞尔辐射模拟(英文)".强激光与粒子束 .12(2008).
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