CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2004-2010年
基于高级硅刻蚀和硅氧化工艺的软X射线干涉光刻分束光栅的优化设计
朱伟忠; 吴衍青; 史沛熊; 郭智; 邰仁忠; 徐洪杰
2008-06-10
Source Publication核技术
Issue06
Abstract基于严格的矢量耦合波方法,对13.4nm(92.5eV)软X射线正入射于周期140nm的Si光栅和SiO2光栅的一级衍射效率进行了模拟计算,结果表明SiO2光栅的最大一级衍射效率远比Si光栅高,同时也比目前用于13.4nm软X射线干涉光刻的Cr/Si3N4复合光栅高。本文提出用高级硅刻蚀工艺和硅氧化工艺制作深高宽比纳米级SiO2光栅的新方法,可以解决直接刻蚀制作此光栅难度大的问题,适用于制作上海光源(SSRF)软X射线干涉光刻分束光栅。
Keyword软x射线透射光栅 衍射效率 高级硅刻蚀 硅氧化工艺 严格耦合波方法 软x射线干涉光刻
Indexed ByCNKI
Language中文
Funding Project应物所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9077
Collection中科院上海应用物理研究所2004-2010年
Corresponding Author朱伟忠
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GB/T 7714
朱伟忠,吴衍青,史沛熊,等. 基于高级硅刻蚀和硅氧化工艺的软X射线干涉光刻分束光栅的优化设计[J]. 核技术,2008(06).
APA 朱伟忠,吴衍青,史沛熊,郭智,邰仁忠,&徐洪杰.(2008).基于高级硅刻蚀和硅氧化工艺的软X射线干涉光刻分束光栅的优化设计.核技术(06).
MLA 朱伟忠,et al."基于高级硅刻蚀和硅氧化工艺的软X射线干涉光刻分束光栅的优化设计".核技术 .06(2008).
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