用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验

CAS OpenIR > 中科院上海应用物理研究所2004-2010年

	用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验
	朱丹峰; 杜光天; 郭盘林; 朱周侠; 朱希恺; 傅云清; 胡伟; 邹亚明
	2008-02-10
Source Publication	核技术
Issue	02
Abstract	为给上海电子束离子阱(Electron Beam Ion Traps,EBIT)装置提供低电荷离子,我们研制了小型金属蒸汽真空弧(Metal Vapor Vacuum Arc,MEVVA)离子源,可产生多种金属以及半导体材料的低电荷离子。本文介绍小型MEVVA离子源的特性及其在上海EBIT装置上的离子注入实验。实验结果显示,合理控制注入参数可以使注入并被束缚在EBIT中的离子数密度达到108~109/cm3。
Keyword	Mevva离子源电子束离子阱离子注入
Indexed By	CNKI
Language	中文
Funding Project	应物所项目组
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9115
Collection	中科院上海应用物理研究所2004-2010年
Corresponding Author	朱丹峰
Recommended Citation GB/T 7714	朱丹峰,杜光天,郭盘林,等. 用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验[J]. 核技术,2008(02).
APA	朱丹峰.,杜光天.,郭盘林.,朱周侠.,朱希恺.,...&邹亚明.(2008).用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验.核技术(02).
MLA	朱丹峰,et al."用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验".核技术 .02(2008).

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