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| 用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验 | |
| 朱丹峰; 杜光天; 郭盘林; 朱周侠; 朱希恺; 傅云清; 胡伟; 邹亚明 | |
| 2008-02-10 | |
| Source Publication | 核技术
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| Issue | 02 |
| Abstract | 为给上海电子束离子阱(Electron Beam Ion Traps,EBIT)装置提供低电荷离子,我们研制了小型金属蒸汽真空弧(Metal Vapor Vacuum Arc,MEVVA)离子源,可产生多种金属以及半导体材料的低电荷离子。本文介绍小型MEVVA离子源的特性及其在上海EBIT装置上的离子注入实验。实验结果显示,合理控制注入参数可以使注入并被束缚在EBIT中的离子数密度达到108~109/cm3。 |
| Keyword | Mevva离子源 电子束离子阱 离子注入 |
| Indexed By | CNKI |
| Language | 中文 |
| Funding Project | 应物所项目组 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9115 |
| Collection | 中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| Corresponding Author | 朱丹峰 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 朱丹峰,杜光天,郭盘林,等. 用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验[J]. 核技术,2008(02). |
| APA | 朱丹峰.,杜光天.,郭盘林.,朱周侠.,朱希恺.,...&邹亚明.(2008).用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验.核技术(02). |
| MLA | 朱丹峰,et al."用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验".核技术 .02(2008). |
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