CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2004-2010年
SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究
陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰; 陈长春
2005-04-10
Source Publication核技术
Issue04
Abstract如何表征SiGe/Si异质外延薄膜中的应变对提升SiGe器件的性能至关重要。本文详细介绍了卢瑟福背散射/沟道效应(RBS/C)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼(Raman)谱等技术表征SiGe薄膜中应变的原理。通过这些实验技术,研究了SiGe/Si外延薄膜在氧气和惰性气体氛围下高温退火前后应变弛豫及离子注入Si衬底上外延生长的SiGe薄膜应变状态。
Keyword应变 硅锗 卢瑟福背散射/沟道效应 高分辨率x射线衍射 拉曼谱
Indexed ByCNKI
Funding Project应物所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9247
Collection中科院上海应用物理研究所2004-2010年
Corresponding Author陈长春
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GB/T 7714
陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰,陈长春. SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究[J]. 核技术,2005(04).
APA 陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰,&陈长春.(2005).SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究.核技术(04).
MLA 陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰,et al."SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究".核技术 .04(2005).
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