CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2004-2010年
载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼
李公平,张小东,丁宝卫,丁印锋,刘正民,朱德彰,张志滨,包良满; 李公平
2005-03-10
Source Publication核技术
Issue03
Abstract用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生 Mon 团簇束,当团簇束分别在偏压为 0、1、3、5、10 kV 的–电场中加速后,沉积在室温下的 P 型 Si(111)衬底上,获得 Mo/Si(111)薄膜样品。用 XRD 分析表明,在室温下,偏压≤5 kV 团簇束沉积和常规磁控溅射沉积获得的 Mo/Si(111) 样品,其界面均无二硅化钼(MoSi2)生成;偏压=10 kV 时,团簇束沉积其界面直接有 MoSi2生成。对于团簇束沉积,当偏压大于一定值时(在本实验条件下偏压≥3 kV),薄膜才开始以 Mo(110)择优取向生长。
Keyword钼团簇束 单晶硅 碰撞沉积 二硅化钼(Mosi2)
Indexed ByCNKI
Funding Project应物所项目组
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9365
Collection中科院上海应用物理研究所2004-2010年
Corresponding Author李公平
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GB/T 7714
李公平,张小东,丁宝卫,丁印锋,刘正民,朱德彰,张志滨,包良满,李公平. 载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼[J]. 核技术,2005(03).
APA 李公平,张小东,丁宝卫,丁印锋,刘正民,朱德彰,张志滨,包良满,&李公平.(2005).载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼.核技术(03).
MLA 李公平,张小东,丁宝卫,丁印锋,刘正民,朱德彰,张志滨,包良满,et al."载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼".核技术 .03(2005).
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