CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2011-2019年
氧化铟纳米线的低温合成与性质研究
袁刚
Subtype硕士
Thesis Advisor周兴泰 ; 孙旭辉
2011-05
Degree Grantor中国科学院研究生院
Degree Discipline电磁场与微波技术
ClassificationTB383
Keyword氧化铟纳米线 低温合成 Xafs In-o键增强
Abstract在本文中,我们以一维氧化铟纳米线为研究对象,开展了以下几个方面的研究工作: 第一,利用热蒸发法,通过VLS机理,以锑化铟粉末为蒸发源,通过控制不同的反应条件,成功在低温条件下合成了高质量的单晶In2O3纳米线,相较于传统合成方法中合成温度须在1000℃左右,此种方法可以将温度降低到400℃-450℃。同时利用SEM,TEM,EDS,HRTEM,同步辐射XRD等方法表征了合成的In2O3纳米线的形貌和晶体结构。研究结构显示,用低温合成的单晶In2O3纳米线的沿着[100]方向生长,直径约为40nm,长度在十几个微米,而且In2O3纳米线密度大。 第二,研究了合成的单晶氧化铟纳米线的电子结构。利用同步辐射X射线吸收精细结构(XAFS)谱学研究了高质量的单晶氧化铟纳米线电子结构和局部结构。XAFS研究结果显示,相较于In2O3块体材料,In的5p电子倾向于向O的轨道靠近,从而形成了更强的In-O键。 第三,研究了合成的单晶氧化铟纳米线的电学和光学性质。发现单晶氧化铟纳米线具有不同的电学性质,而PL谱学显示In2O3纳米线在380nm,465nm,530nm三处有PL峰,特别是紫外波段有很强的发光性质。
Funding Project应物所项目组
Language中文
Document Type学位论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9684
Collection中科院上海应用物理研究所2011-2019年
Recommended Citation
GB/T 7714
袁刚. 氧化铟纳米线的低温合成与性质研究[D]. 中国科学院研究生院,2011.
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