CAS OpenIR  > 中科院上海应用物理研究所2011-2019年
强流大孔径500MHz 5-cell 超导高频腔的设计
韦业龙
Subtype硕士
Thesis Advisor刘建飞
2012-05
Degree Grantor中国科学院研究生院
Degree Discipline电磁场与微波技术
Keyword高平均流强 超导高频腔 高次模(homs) 损耗因子 二次电子倍增
Abstract本文根据高流强加速器用超导高频腔的物理和机械的要求,进行国内首台500MHz 5-cell 超导高频腔的优化设计。通过优化设计,新型500MHz 5-cell 超导腔的加速模TM010 的r/Q 达到了515.64 欧姆,表面峰值场强与加速梯度的比值分别为Ep/Eacc=2.45,Bp/Eacc=4.22 mT/MV/m。高次模抑制方案采用扩大束管降低截止频率的方法,将对束流影响大的高次模传输出超导腔,由位于恒温器外部、安装在束管上的高次模吸收器吸收功率,提高束流不稳定阈值。此外本文还对该5-cell 腔型进行了二次电子倍增、高功率输入耦合器等方面的数值模拟和初步设计。结果表明,优化设计后的腔型,不会发生二次电子倍增;同时借鉴TRISTAN同轴型输入耦合器,初步设计了用于该腔的高功率输入耦合器。
Funding Project应物所项目组
Language中文
Document Type学位论文
Identifierhttp://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/9750
Collection中科院上海应用物理研究所2011-2019年
Recommended Citation
GB/T 7714
韦业龙. 强流大孔径500MHz 5-cell 超导高频腔的设计[D]. 中国科学院研究生院,2012.
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