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低维薄膜材料的第一性原理研究 学位论文
: 中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所), 2018
Authors:  梁兆峰
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分子自组装  表面吸附  碲纳米带  电子结构  第一性原理计算  
石墨烯原位同步辐射表征及应用 学位论文
: 中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所), 2018
Authors:  朱大明
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同步辐射  石墨烯  原位表征  化学气相沉积  
周期性纳米金属粒子表面等离子体共振的调控及应用 学位论文
: 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所), 2017
Authors:  刘星
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表面增强拉曼散射  光刻  三明治结构  表面等离子体激元  
钙钛矿太阳能电池中界面电子结构的研究 学位论文
: 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所), 2017
Authors:  季庚午
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钙钛矿太阳能电池  前驱体比例  界面能级  电子结构  Xps/ups  
蒸汽辅助沉积法制备甲胺铅碘钙钛矿薄膜的微观结构研究 学位论文
: 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所), 2016
Authors:  刘华秋
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同步辐射掠入射x射线衍射  钙钛矿薄膜  改良的蒸汽辅助沉积法  碘化铅衬底温度  
衬底温度对蒸汽辅助沉积法制备钙钛矿薄膜微观结构的影响 期刊论文
核技术, 2016, 卷号: v.39, 期号: 6, 页码: 25-31
Authors:  刘华秋;  朱大明;  刘星;  季庚午;  杨迎国;  文闻;  高兴宇
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同步辐射掠入射x射线衍射  钙钛矿薄膜  改良的蒸汽辅助沉积法  衬底温度  
p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN104178730A, 申请日期: 2014-12-03, 公开日期: 2014-12-03
Authors:  杨铁莹;  赵俊;  李晓龙;  高兴宇;  薛超凡;  吴衍青;  邰仁忠
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p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN104178730, 申请日期: 2014-08-18,
Authors:  杨铁莹;  赵俊;  李晓龙;  高兴宇;  薛超凡;  吴衍青;  邰仁忠
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辐照法制备太赫兹波发射晶体的机理研究 学位论文
: 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所), 2014
Authors:  黄灿
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数值模拟  离子辐照缺陷  太赫兹发射晶体  
SR-XRD和EXAFS研究Mn掺杂ZnO薄膜的微观结构 期刊论文
核技术, 2012, 期号: 5, 页码: 321-325
Authors:  张斌;  李敏;  王建中;  施立群;  承焕生;  杨铁莹;  文闻;  胡凤春
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