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锕系碳化物和氟化物材料的电子结构和成键特性的理论研究 学位论文
: 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所), 2015
Authors:  王昌英
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密度泛函理论  碳化钍  二碳化钍  锕系四氟化物  缺陷  成键特性